QR-koodi

(In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3 </sub> Photodetectors Fabricated on Sapphire at Different Temperatures by PLD

The (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> photodetectors were fabricated on the single-crystalline (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic> <sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films deposited on...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Päätekijät: Ke Zhang, Qian Feng, Lu Huang, Zhuangzhuang Hu, Zhaoqing Feng, Ang Li, Hong Zhou, Xiaoli Lu, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao
Aineistotyyppi: Artigo
Kieli:Inglês
Julkaistu: IEEE 2018-01-01
Sarja:IEEE Photonics Journal
Aiheet:
(InxGa1−x)2O3
photodetectors
temperatures
PLD.
Linkit:https://ieeexplore.ieee.org/document/8368328/
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Samankaltaisia teoksia