Código QR (código de barras bidimensional)

Preparation and Performance Exploration of MoS<sub>2</sub>/WSe<sub>2</sub> Van Der Waals Heterojunction Tunneling Field-Effect Transistor

Due to their high carrier mobility, thermal conductivity, and exceptional foldability, transition metal dichalcogenides (TMDs) present promising prospects in the realm of flexible semiconductor devices. Concurrently, tunneling field-effect transistors (TFETs) have garnered significant attention owin...

תיאור מלא

שמור ב:
Principais autores: Chen Chong, Hongxia Liu, Shulong Wang, Shupeng Chen, Cong Yan
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2025-09-01
סדרה:Micromachines
נושאים:
TMDs (transition metal dichalcogenides)
TFET (tunneling field-effect transistor)
van der Waals heterojunction
גישה מקוונת:https://www.mdpi.com/2072-666X/16/10/1108
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים