MEDICIÓN DE VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS EN CELDAS SOLARES DE Si CRISTALINO: UNA VARIANTE DE LA TÉCNICA OCVD

Se analiza teórica y experimentalmente una variante de la técnica de decaimiento de la tensión a circuito abierto (OCVD) para la medición de la vida media de portadores minoritarios en la región de la base de celdas solares de silicio monocristalino. En la misma la excitación consiste en una fuente...

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Hlavní autoři:	C. J. Bruno, M. G. Martínez Bogado, J. C. Durán
Médium:	Artigo
Jazyk:	Espanhol
Vydáno:	CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF 2013-08-01
Edice:	Anales (Asociación Física Argentina)
On-line přístup:	https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/1047
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