Código QR (código de barras bidimensional)

Modulation of Oxygen Content and Ferroelectricity in Sputtered Hafnia‐Zirconia by Engineering of Tungsten Oxide Bottom Electrodes

Abstract The well‐developed high‐k technologies ease the integration complexity for HfO2‐based ferroelectric (FE) devices in the complementary metal‐oxide semiconductor processes. Sputtered HfxZr(1‐x)O2 (HZO) FEs have proven their thermal compatibility in back‐end‐of‐line (BEOL) integration processe...

תיאור מלא

שמור ב:
Principais autores: Xuetao Wang, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick, Matthias Grube
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Wiley-VCH 2024-06-01
סדרה:Advanced Electronic Materials
נושאים:
back end of line
ferroelectrics
hafnium zirconium oxide
oxygen vacancy
sputtering
tungsten oxide
גישה מקוונת:https://doi.org/10.1002/aelm.202300798
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים