Vertical Electric-Field-Induced Switching from Strong to Asymmetric Strong–Weak Confinement in GaAs Cone-Shell Quantum Dots Using Transparent Al-Doped ZnO Gates
The first part of this work evaluates Al-doped ZnO (AZO) as an optically transparent top-gate material for studies on semiconductor quantum dots. In comparison with conventional Ti gates, samples with AZO gates demonstrate a more than three times higher intensity in the quantum dot emission under co...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2024-10-01
|
| سلاسل: | Nanomaterials |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2079-4991/14/21/1712 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|