Structural and optical analysis of GaN and InxGa1-xN photodetectors fabricated by PEALD on silicon
The optical, structural, morphological and chemical properties of Gallium nitride (GaN) and Indium Gallium nitride (InxGa1-xN) thin films grown on Si (100) by plasma-assisted atomic layer deposition (PEALD) technique at a temperature of 300°C. X-ray diffraction (XRD) was performed, obtaining polycry...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Elsevier
2025-09-01
|
| Loạt: | Results in Engineering |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2590123025025551 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|