Halogen‐Free Anisotropic Atomic‐Layer Etching of HfO2 at Room Temperature

Hafnium(IV) oxide (HfO2)‐based materials have attracted substantial interest owing to their outstanding performance in advanced ultrathin semiconductor devices. However, achieving atomic‐level precision and smoothness in HfO2 etching remains a major challenge, primarily due to the nonvolatility of r...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Shih‐Nan Hsiao, Pak‐Man Yiu, Li‐Chun Chang, Jyh‐Wei Lee, Makoto Sekine, Masaru Hori
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Wiley-VCH 2025-10-01
سلاسل:Small Science
الموضوعات:
atomic‐layer etching smoothness
HfO2 films
nitrogenation
O2 plasma
plasma‐assisted atomic‐layer etching
الوصول للمادة أونلاين:https://doi.org/10.1002/smsc.202500251
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة