Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous <em>Long</em>-InGaN Nanowire Structures
One-dimensional nanowires based on Group III-nitride materials are emerging as one of the most promising structures for applications of light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), solar cells, and photocatalysts. However, leading to the so-called “green gap” in photonics, the fabrication of hi...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2020-12-01
|
| سلاسل: | Nanomaterials |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2079-4991/11/1/9 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|