DFT-based precursor screening for selective atomic layer deposition on Cu/SiO2 substrates

Selective atomic layer deposition(ALD) exhibits significant advantages in the fabrication of nanoscale materials, fundamentally leveraging the differential reaction rates of precursors across distinct regions. This study focuses on the deposition process alignment of dielectric materials in semicond...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Yi'ao GE, Boxuan LI, Yanwei WEN, Kun CAO, Bin SHAN, Rong CHEN
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Chinês
منشور في:	Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology 2025-06-01
سلاسل:	Gongneng cailiao yu qijian xuebao
الموضوعات:	selective atomic layer deposition density functional theory microreaction kinetics precursor screening
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.jfmd.net.cn/article/doi/10.20027/j.gncq.2025.0025
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!