Kr-Plasma Process for Conductance Control of MFSFET With FeND-HfO₂ Gate Insulator

In this work, we have investigated the conductance control of the metal-ferroelectrics-Si field-effect transistor (MFSFET) utilizing 5 nm thick ferroelectric nondoped <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\rm HfO_{2}$ </tex-math></inline-formula> (FeND-HfO2) gate insulator. The Kr-plasma proc...

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Detalhes bibliográficos

Principais autores:	S. Ohmi, M. Tanuma, J.W. Shin
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	IEEE 2024-01-01
coleção:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Assuntos:	Hafnium oxide nondoped ferroelectrics MFSFET Kr-plasma threshold voltage
Acesso em linha:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10682993/
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