Kr-Plasma Process for Conductance Control of MFSFET With FeND-HfO₂ Gate Insulator
In this work, we have investigated the conductance control of the metal-ferroelectrics-Si field-effect transistor (MFSFET) utilizing 5 nm thick ferroelectric nondoped <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\rm HfO_{2}$ </tex-math></inline-formula> (FeND-HfO2) gate insulator. The Kr-plasma proc...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2024-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10682993/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|