High-speed pHEMT-based low noise amplifier for 2.4-GHz wireless communication

In the era of rapidly expanding wireless technologies, the push for larger spectrum efficiency and better signal integrity has intensified the need for high-efficient and low noise amplifiers (LNAs). A two-stage LNA based on the GaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) wit...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Omar S. Abdulwahid, Ahmad N. Abdulfattah, Saad G. Muttlak, Mohammadreza Sadeghi, Mohamed Missous
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	KeAi Communications Co., Ltd. 2025-12-01
سلاسل:	Journal of Electronic Science and Technology
الموضوعات:	Low noise amplifier Noise figure pHEMT characterization Transistor modeling Wireless communication
الوصول للمادة أونلاين:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1674862X25000394
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!