High-speed pHEMT-based low noise amplifier for 2.4-GHz wireless communication

In the era of rapidly expanding wireless technologies, the push for larger spectrum efficiency and better signal integrity has intensified the need for high-efficient and low noise amplifiers (LNAs). A two-stage LNA based on the GaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) wit...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Omar S. Abdulwahid, Ahmad N. Abdulfattah, Saad G. Muttlak, Mohammadreza Sadeghi, Mohamed Missous
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	KeAi Communications Co., Ltd. 2025-12-01
Շարք:	Journal of Electronic Science and Technology
Խորագրեր:	Low noise amplifier Noise figure pHEMT characterization Transistor modeling Wireless communication
Առցանց հասանելիություն:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1674862X25000394
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!