Novel Bidirectional ESD Circuit for GaN HEMT
In this paper, the ESD protection circuit for p-GaN gate HEMTs with bidirectional clamp is proposed and investigated. ESD clamp circuits consist of several forward diodes in serials and a reverse diode. During the ESD pulse, a discharging channel in the proposed ESD clamp is built and the gate to so...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2025-01-01
|
| Loạt: | Micromachines |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2072-666X/16/2/129 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|