Radiation hardness of silicon doped by germanium with high concentration of free oxygen
Radiation hardness of Czochralski grown n-type silicon samples, doped by germanium (NGe = 2 ⋅ 1020 cm-3) and without that was investigated after irradiaton by fast neutrons of WWR-M reactor at room temperature.The dependence of effective carrier concentration on fluence was described in the framew...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Institute for Nuclear Research, National Academy of Sciences of Ukraine
2006-06-01
|
| தொடர்: | Ядерна фізика та енергетика |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://jnpae.kinr.kiev.ua/17(1)/Articles_PDF/jnpae-2006-1(17)-0060-Varentsov.pdf |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|