Numerical Investigation on Electrothermal Performance of AlGaN/GaN HEMTs with Nanocrystalline Diamond/SiNx Trench Dual-Passivation Layers

In this work, AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) with a nanocrystalline diamond (NCD)/SiN_x trench dual-passivated (TDP) structure were promoted, which demonstrated superior performance with a higher saturation output current (<i>I</i>_dss) of 1.266 A/mm, a high...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Peiran Wang, Chenkai Deng, Chuying Tang, Xinyi Tang, Wenchuan Tao, Ziyang Wang, Nick Tao, Qi Wang, Qing Wang, Hongyu Yu
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2025-04-01
தொடர்:	Nanomaterials
பொருள்கள்:	AlGaN/GaN HEMTs numerical simulations nanocrystalline diamond trench dual-passivated structure self-heating effects
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2079-4991/15/8/574
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!