Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design
The paper deals with studies of thermoelectric properties for Si1-xGex (x=0.01-0.05) whiskers doped with boron during their growth by CVD method. Temperature dependences of the resistance and the Seebeck coefficient for Si1-xGex whiskers were measured in the temperature range 275–550 K. A method for...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
2020-09-01
|
| Շարք: | Фізика і хімія твердого тіла |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/3872 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|