Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design
The paper deals with studies of thermoelectric properties for Si1-xGex (x=0.01-0.05) whiskers doped with boron during their growth by CVD method. Temperature dependences of the resistance and the Seebeck coefficient for Si1-xGex whiskers were measured in the temperature range 275–550 K. A method for...
Збережено в:
| Автори: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
2020-09-01
|
| Серія: | Фізика і хімія твердого тіла |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/3872 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|