QR код

Study on Surge Capacity of SiC MOSFET Based on Channel State

The reliability of the SiC MOSFET body diode has been greatly improved due to technological progress, and it has replaced freewheeling diodes in some fields and modules. Based on the surge current test, the non-repetitive surge current characteristics of SiC MOSFET body diode under different channel...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автори: Heli MENG, Erping DENG, Wenjie WANG, Yongzhang HUANG
Формат: Artigo
Мова:Chinês
Опубліковано: Editorial Department of Electric Drive for Locomotives 2021-09-01
Серія:机车电传动
Предмети:
Онлайн доступ:http://edl.csrzic.com/thesisDetails#10.13890/j.issn.1000-128x.2021.05.010
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!