Investigation on the Optical Properties of Micro-LEDs Based on InGaN Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

InGaN quantum dots (QDs) have attracted significant attention as a promising material for high-efficiency micro-LEDs. In this study, plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) was used to grow self-assembled InGaN QDs for the fabrication of green micro-LEDs. The InGaN QDs exhibited a high densi...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Ying Gu, Yi Gong, Peng Zhang, Haowen Hua, Shan Jin, Wenxian Yang, Jianjun Zhu, Shulong Lu
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	MDPI AG 2023-04-01
মালা:	Nanomaterials
বিষয়গুলি:	InGaN quantum dots micro-LEDs molecular beam epitaxy size effect
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.mdpi.com/2079-4991/13/8/1346
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!