Investigation on the Optical Properties of Micro-LEDs Based on InGaN Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
InGaN quantum dots (QDs) have attracted significant attention as a promising material for high-efficiency micro-LEDs. In this study, plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) was used to grow self-assembled InGaN QDs for the fabrication of green micro-LEDs. The InGaN QDs exhibited a high densi...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2023-04-01
|
| Շարք: | Nanomaterials |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/2079-4991/13/8/1346 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|