Fabrication and characterization of n-type Ge1−xSnx- and Si1–x–yGeySnx-on-SOI junctionless transistors

Abstract Ge1−xSnx and Si1−x−yGeySnx alloys are promising materials for future nanoelectronic applications owing to their high carrier mobilities and CMOS compatibility. However, ternary Si1−x−yGeySnx transistors have only theoretically been discussed, and there are only a few reports on lateral n-ty...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Oliver Steuer, Sayantan Ghosh, Daniel Schwarz, Michael Oehme, Sebastian Lehmann, René Hübner, Ciarán Fowley, Artur Erbe, Shengqiang Zhou, Manfred Helm, Gianaurelio Cuniberti, Slawomir Prucnal, Yordan M. Georgiev
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	Nature Portfolio 2025-12-01
মালা:	Scientific Reports
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://doi.org/10.1038/s41598-025-31272-y
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!