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Electric Transport in Few-Layer ReSe<sub>2</sub> Transistors Modulated by Air Pressure and Light

We report the fabrication and optoelectronic characterization of field-effect transistors (FETs) based on few-layer ReSe<sub>2</sub>. The devices show n-type conduction due to the Cr contacts that form low Schottky barriers with the ReSe<sub>2</sub> nanosheet. We show that the optoelectronic perform...

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Principais autores: Enver Faella, Kimberly Intonti, Loredana Viscardi, Filippo Giubileo, Arun Kumar, Hoi Tung Lam, Konstantinos Anastasiou, Monica F. Craciun, Saverio Russo, Antonio Di Bartolomeo
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2022-05-01
coleção:Nanomaterials
Assuntos:
2D materials
rhenium
selenides
ReSe<sub>2</sub>
field-effect transistor
pressure
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/11/1886
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