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Subthreshold Kink Effect in Gate-All-Around MOSFETs Based on Void Embedded Silicon on Insulator Technology

The kink effect of gate-all-around (GAA) MOSFET has been experimentally validated by our GAA devices fabricated on a void embedded silicon-on-insulator (VESOI) substrate. In this VESOI GAA device, a consistent and favorable decrease in subthreshold swing (SS) is observed as <inline-formula> <tex-mat...

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Principais autores: Yuxin Liu, Qiang Liu, Jin Chen, Zhiqiang Mu, Xing Wei, Wenjie Yu
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2024-01-01
coleção:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Assuntos:
Kink effect
gate-all-around
void embedded silicon on insulator substrate
average subthreshold swing and hysteresis-free
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/10714381/
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