Switched Low-Noise Amplifier Using Gyrator-Based Matching Network for TD-LTE/LTE-U/Mid-Band 5G and WLAN Applications

This paper presents a triple-band low-noise amplifier (LNA) fabricated using a 0.18 μm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) process. The LNA uses a double-peak load network with a switched component to accomplish the triple-band operation. Moreover, noise reduction using a substrate resist...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Ching-Han Tsai, Chun-Yi Lin, Ching-Piao Liang, Shyh-Jong Chung, Jenn-Hwan Tarng
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2021-02-01
தொடர்:	Applied Sciences
பொருள்கள்:	low-noise amplifier 5G triple-band noise reduction
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2076-3417/11/4/1477
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!