Investigation of Negative Bias Temperature Instability Effect in Nano PDSOI PMOSFET

The Negative Bias Temperature Instability (NBTI) effect of partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) PMOSFET based on 130 nm is investigated. First, the effect of NBTI on the IV characteristics and parameter degradation of T-Gate PDSOI PMOSFET was investigated by accelerated stress tests. The...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Yafang Yang, Hongxia Liu, Kun Yang, Zihou Gao, Zixu Liu
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2022-05-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	negative bias temperature instability partially depleted silicon-on-insulator threshold voltage shift NBTI lifetime floating-body
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/13/5/808
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!