Low-Temperature and Low-Pressure Silicon Nitride Deposition by ECR-PECVD for Optical Waveguides

We report on low-temperature and low-pressure deposition conditions of 140 °C and 1.5 mTorr, respectively, to achieve high-optical quality silicon nitride thin films. We deposit the silicon nitride films using an electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition (ECR-PECVD) cha...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos

Principais autores:	Dawson B. Bonneville, Jeremy W. Miller, Caitlin Smyth, Peter Mascher, Jonathan D. B. Bradley
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	MDPI AG 2021-02-01
Colecção:	Applied Sciences
Assuntos:	chemical vapour deposition silicon nitride optical waveguides
Acesso em linha:	https://www.mdpi.com/2076-3417/11/5/2110
Tags:	Adicionar Tag Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!