Radiation study on the parallel topology of SiC MOSFET and Si IGBT inverter

The electromagnetic radiation interference mechanism from multiple noise sources on the parallel topology of SiC MOSFET and Si IGBT Inverter is blurred, which will seriously affect the high reliability application of the structure. In order to solve this problem, a topological radiation EMI predicti...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Yuxing Dai, Zijie Zheng, Zishun Peng, Wen Hu, Jun Wang, Zhenxing Zhao, Yachao Yang, Yi Yang
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Elsevier 2023-10-01
Շարք:	Energy Reports
Խորագրեր:	Inverter paralleling Radiated electromagnetic interference Circuit radiation model Field-circuit coupling
Առցանց հասանելիություն:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S235248472300865X
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!