An Improved Methodology for Switching Losses Estimation in SiC MOSFETs
This work presents an improved analytical model concerning the prediction of switching losses in power MOSFETs by considering the influence of parasitic elements in the high-frequency operation of devices. By using the transistor voltage and current waveforms, it is possible to predict switching...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Associação Brasileira de Eletrônica de Potência
2020-09-01
|
| தொடர்: | Eletrônica de Potência |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://journal.sobraep.org.br/index.php/rep/article/view/312 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|