High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate

The rapidly increasing power demand, downsizing of power electronics and material specific limitation of silicon has led to development of AlGaN/GaN heterostructures. Commercial GaN power devices are best available for radio frequency (RF) and high voltage switching applications. Emerging AlxGa1-xN...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	J. Mehta, I. Abid, J. Bassaler, J. Pernot, P. Ferrandis, M. Nemoz, Y. Cordier, S. Rennesson, S. Tamariz, F. Semond, F. Medjdoub
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Elsevier 2023-03-01
سلاسل:	e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy
الموضوعات:	AlGaN-on-Si AlGaN channel UWBG HEMT
الوصول للمادة أونلاين:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2772671123000098
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!