A Review of Reliability in Gate-All-Around Nanosheet Devices
The gate-all-around (GAA) nanosheet (NS) field-effect-transistor (FET) is poised to replace FinFET in the 3 nm CMOS technology node and beyond, marking the second seminal shift in device architecture across the extensive 60-plus-year history of MOSFET. The introduction of a new device structure, cou...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2024-02-01
|
| سلاسل: | Micromachines |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2072-666X/15/2/269 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|