Metallic Impurity Gettering Behavior of Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Epitaxial Silicon Wafer During the pn-Junction Diode Fabrication Process

We investigate the leakage current density–voltage (J–V) characteristics and gettering behavior of metallic impurities using a pn-junction diode fabricated with hydrocarbon (C3H5)-molecular-ion-implanted epitaxial silicon wafer. The pn-junction diode with C3H5 molecular ion implantatio...

Повний опис

Бібліографічні деталі

Автори:	Sho Nagatomo, Takeshi Kadono, Ryo Hirose, Koji Kobayashi, Shun Sasaki, Kazunari Kurita
Формат:	Artigo
Мова:	Inglês
Опубліковано:	IEEE 2025-01-01
Серія:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Предмети:	Silicon wafer gettering pn-junction CMOS image sensor molecular ion implantation
Онлайн доступ:	https://ieeexplore.ieee.org/document/11215678/
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!