Research on Internal Current Sharing of High-power IGBTs
In order to increase the rating current level of device, high power IGBT is often composed of multiple chips and subelements in parallel, and in this case, how to effectively control the current sharing within device is very important. It analysed the important influence of stray inductance on IGBTs...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Chinês |
| Հրապարակվել է: |
Editorial Office of Control and Information Technology
2017-01-01
|
| Շարք: | Kongzhi Yu Xinxi Jishu |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://ctet.csrzic.com/thesisDetails#10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.007 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|