Performance Improvement of InGaN-Based LEDs via a Current-Blocking Region Prepared via Hydrogen Passivation
We report p-GaN passivation via hydrogen plasma used to create current blocking regions (CBRs) in InGaN-based green LEDs with standard dimensions of 280 × 650 μm<sup>2</sup>. The CBRs are created before mesa etching in two variants: underneath the opaque metal p-pad and both underneath the p-pad and...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2022-12-01
|
| coleção: | Crystals |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.mdpi.com/2073-4352/12/12/1733 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|