Threshold voltage instability of SiC MOSFETs under very‐high temperature and wide gate bias
Abstract Threshold voltage (VTH) instability affects the reliability of silicon carbide (SiC) MOSFETs. In this article, the influence of gate bias (VGS) and high temperature on VTH instability is investigated under wide VGS and very‐high temperature range (150°C to 275°C). The degradation mechanism...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Wiley
2024-11-01
|
| মালা: | IET Power Electronics |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doi.org/10.1049/pel2.12786 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|