ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

Роботу присвячено практичному визначенню  та порівнянню динамічних характеристик кремнієвого (Si) MOSFET, карбід кремнієвого (SiC) MOSFET та кремнієвого IGBT у разі роботи на активно-індуктивне навантаження, що є актуальним для електроприводів та статичних перетворювачів параметрів електричної енерг...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	С.М. Ковбаса, Ю.В. Вербовий, Є.В. Коломійчук
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	NAS of Ukraine, Institute of elecrodynamics 2025-09-01
Seria:	Технічна електродинаміка
Hasła przedmiotowe:	напівпровідники з широкою забороненою зоною тест подвійним імпульсом силова електроніка si-mosfet sic-mosfet si-igbt втрати на перемикання електропривод високочастотна шім
Dostęp online:	https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!