UV-A Sensor Based on 6H-SiC Schottky Photodiode
In this paper, we propose a UV-A sensor based on a 6H-SiC Schottky photodiode with a thin Ni<sub>2</sub>Si front electrode and an integrated hydrogenated silicon nitride (SiN:H) dielectric filter. 6H-SiC prototypes were fabricated by using a manufacturing process to a large extent already implemente...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2017-01-01
|
| Loạt: | IEEE Photonics Journal |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7814212/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|