Surface Passivation of Germanium with ALD Al₂O₃: Impact of Composition and Crystallinity of GeO_x Interlayer

Germanium is an excellent material candidate for various applications, such as field effect transistors and radiation detectors/multijunction solar cells, due to its high carrier mobilities and narrow bandgap, respectively. However, the efficient passivation of germanium surfaces remains challenging...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Joonas Isometsä, Zahra Jahanshah Rad, Tsun H. Fung, Hanchen Liu, Juha-Pekka Lehtiö, Toni P. Pasanen, Oskari Leiviskä, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Kalevi Kokko, Hele Savin, Ville Vähänissi
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	MDPI AG 2023-04-01
মালা:	Crystals
বিষয়গুলি:	surface passivation atomic layer deposition aluminum oxide ultrahigh vacuum corona oxide characterization of semiconductors quasi-steady-state microwave-detected photoconductance decay
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.mdpi.com/2073-4352/13/4/667
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!