Wrapping Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Transistors with High Current Density

Amorphous oxide semiconductor transistors with a high current density output are highly desirable for large-area electronics. In this study, wrapping amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) transistors are proposed to enhance the current density output relative to a-IGZO source-gated transistor...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Jiaxin Liu, Shan Huang, Zhenyuan Xiao, Ning Li, Jaekyun Kim, Jidong Jin, Jiawei Zhang
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	MDPI AG 2025-01-01
סדרה:	Electronic Materials
נושאים:	amorphous indium–gallium–zinc oxide thin-film transistor source-gated transistor wrapping transistor current density
גישה מקוונת:	https://www.mdpi.com/2673-3978/6/1/2
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!