A temperature dependent analytical model & performance evaluation of triple-material dielectric-pocket gate-all-around MOSFET

Abstract In current article, an analytical model of a Triple-Material Dielectric-Pocket Gate-All-Around (TM-DP-GAA) MOSFET has been presented for elevated temperature conditions. The numerical model of surface potential has been developed for temperatures ranging from 300 to 700 K. The influence of...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Neeraj Gupta, Rashmi Gupta, Rekha Yadav, Prashant Kumar, Lalit Rai
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Springer 2024-12-01
سلاسل:	Discover Applied Sciences
الموضوعات:	Dielectric pocket Triple material Temperature Subthreshold GAA-MOSFET Transconductance
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1007/s42452-024-06225-1
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!