Research progress on phase structure regulation of hafnium oxide-based ferroelectric thin films
With the development of microelectronics technology, hafnium oxide (HfO2) has become the research focus of new ferroelectric materials because of its compatibility with Si-based semiconductor technology, suitable relative dielectric constant, good thermal and chemical stabilities, and a large band g...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Chinês |
| Được phát hành: |
Science Press
2024-04-01
|
| Loạt: | 工程科学学报 |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://cje.ustb.edu.cn/article/doi/10.13374/j.issn2095-9389.2023.05.10.003 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|