Investigation of direct inkjet-printed versus spin-coated ZrO2 for sputter IGZO thin film transistor

Abstract In this work, a low leakage current ZrO2 was fabricated for sputter indium gallium zinc oxide (IGZO) thin-film transistor using direct inkjet-printing technology. Spin-coated and direct inkjet-printed ZrO2 were prepared to investigate the film formation process and electrical performance fo...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Wei Cai, Honglong Ning, Zhennan Zhu, Jinglin Wei, Shangxiong Zhou, Rihui Yao, Zhiqiang Fang, Xiuqi Huang, Xubing Lu, Junbiao Peng
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	SpringerOpen 2019-03-01
Շարք:	Nanoscale Research Letters
Խորագրեր:	Oxide dielectric Direct inkjet printing Interface Bias stress stability
Առցանց հասանելիություն:	http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-2905-2
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!