Synaptic Plasticity and Quantized Conductance States in TiN-Nanoparticles-Based Memristor for Neuromorphic System
Abstract Controlled conductive filament formation in the resistive random access memory device is an essential requirement for analog resistive switching to develop artificial synapses. In this work, we have studied Au/Ti/HfAlOx/TiN-NP/HfAlOx/ITO RRAM device to demonstrate conductance quantization b...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
SpringerOpen
2022-06-01
|
| Շարք: | Nanoscale Research Letters |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://doi.org/10.1186/s11671-022-03696-2 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|