QR kód

Diode-Like Current Leakage and Ferroelectric Switching in Silicon SIS Structures with Hafnia-Alumina Nanolaminates

Silicon semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) structures with high-k dielectrics are a promising new material for photonic and CMOS integrations. The “diode-like” currents through the symmetric atomic layer deposited (ALD) HfO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/HfO<sub>2</sub>… nanolayers...

Celý popis

Uloženo v:
Hlavní autoři: Vladimir P. Popov, Fedor V. Tikhonenko, Valentin A. Antonov, Ida E. Tyschenko, Andrey V. Miakonkikh, Sergey G. Simakin, Konstantin V. Rudenko
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: MDPI AG 2021-01-01
Edice:Nanomaterials
Témata:
SIS structures
silicon-on-ferroelectric
diode and FET characteristics
leakage mechanisms
ferroelectric hysteresis
On-line přístup:https://www.mdpi.com/2079-4991/11/2/291
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky