A Fast Recovery Vertical Superjunction MOSFET with n-Si and p-3C-SiC Pillars
In the traditional SJ MOSFET structure, n/p pillars with the same doping concentrations in the drift region are introduced to decrease the on-resistance. However, SJ MOSFET will turn on the parasitic diodes due to fast reverse recovery, further inducing severe oscillation in the reverse recovery of...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2022-06-01
|
| coleção: | Crystals |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.mdpi.com/2073-4352/12/7/916 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|