Miniature Mesa Extension for a Planar Submicron AlGaN/GaN HEMT Gate Formation
In this letter, a novel approach is presented to overcome issues in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), such as metal discontinuity of the gate stemmed from conventional mesa isolation. This usually requires a careful mesa etch process to procure an anisotropic mesa-wall profile. A...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2022-11-01
|
| Loạt: | Micromachines |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2072-666X/13/11/2007 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|