Passivation of MWIR Heterostructure p-InAsSbP/n-InAs Photodiodes Using SiO₂ Layers for Near-Room-Temperature Operation

We examined the effect of SiO₂ passivation on the parameters of mesa heterostructure InAs/InAsSbP photodiodes with a spectral responsivity 50% cut off at 3.5 µm at 295 K, specific to the InAs absorber layer. The <i>R</i>₀<i>A</i> product was found to increase by 30% after passi...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Jarosław Pawluczyk, Krzysztof Kłos, Oskar Ślęzak, Kinga Majkowycz, Krzysztof Murawski, Tetiana Manyk, Jarosław Rutkowski, Piotr Martyniuk
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2025-09-01
Edice:	Proceedings
Témata:	sensors indium arsenide photodiodes infrared detectors dark current
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/2504-3900/129/1/13
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!