Characteristics Measurement in a Deep UV Single Photon Detector Based on a TE-cooled 4H-SiC APD
We report on the characteristics of a lab-assembled UV single photon detector based on a thermoelectrically cooled silicon carbide (4H-SiC) avalanche photodiode (APD). The SiC- APD in this experiment was fabricated with a beveled mesa structure, with electronics designed to achieve passive Geiger-mo...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2023-01-01
|
| Loạt: | IEEE Photonics Journal |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10018176/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|