A Programmable Active Recharge Circuit for SPAD in 110-nm BSI CMOS
This paper presents a programmable active recharge (AR) circuit optimized for a single-photon avalanche diode (SPAD) fabricated in a 110-nm BSI CMOS process. The SPAD employs a p-well and deep n-well junction. A retrograde p-substrate guard-ring, which is located at the junction edges, suppresses th...
Збережено в:
| Автори: | , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
IEEE
2025-01-01
|
| Серія: | IEEE Access |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11087606/ |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|