Experimental Investigation on Ablation of 4H-SiC by Infrared Femtosecond Laser
Femtosecond laser ablation has become one of the important structural processing methods for the third-generation semiconductor material, silicon carbide (SiC), and it is gradually being employed in the manufacture of microelectromechanical systems and microelectronic devices. Experimental study has...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2022-08-01
|
| মালা: | Micromachines |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2072-666X/13/8/1291 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|